차세대 태양전지 재료, 차세대 메모리로 첫 변신

2015.10.27 18:00
본 연구결과는 28일자 어드밴스드 머터리얼스 뒷쪽 안쪽 표지논문으로 실렸다. - 어드밴스드 머터리얼스 제공
본 연구결과는 28일자 어드밴스드 머터리얼스 뒷쪽 안쪽 표지논문으로 실렸다. - 어드밴스드 머터리얼스 제공

태양전지 소재로 주목받는 물질이 투명하고 유연한 차세대 메모리 소자로도 변신을 꾀하고 있다.


최영진 세종대 나노신소재공학과 교수팀은 유무기복합 페로브스카이트 소재를 이용해 저항변화메모리 소자를 만들 수 있는 기술을 세계 최초로 개발했다고 28일 밝혔다.

 

저항변화 메모리는 저항이 변하는 특성을 이용해 정보를 저장하는 메모리로 구조가 단순해 차세대 메모리 소자로 꼽힌다.


페로브스카이트는 빛을 전기로 바꾸는 효율이 높고, 투명하면서도 유연해 차세대 태양전지 소재로 각광 받고 있는 물질이다.

 

한때 열 안정성이 뛰어난 무기물 페로브스카이트를 이용해 메모리 소자를 만들려는 시도는 있었지만 고온·진공 상태의 까다로운 공정이 필요해 상용화가 어려웠다.

 

또 저온에서 만들 수 있는 유기물 기반 페로브스카이트 물질을 이용하려는 연구도 있었지만 열 안정성이 낮고 동작 전압이 높아 활용도가 떨어지는 한계가 있었다.


연구팀은 무기물과 유기물을 합친 유무기 복합 페로브스카이트 소재로 각 소재의 장점만을 뽑아냈다. 유무기 복합 소재를 사용하자 저온 공정을 통해 쉽게 만들 수 있으면서도 무기물만 썼을 때에 버금가는 낮은 동작전압과 열 안전성을 갖춘 저항변화 메모리 소자를 만들 수 있었다.


최 교수는 “태양전지 분야에 초점이 맞춰져 있던 유무기 복합 페로브스카이트를 저항변화 메모리 소자를 만드는 데 이용하는 ‘발상의 전환’을 이뤄냈다는 데 의의가 있다”며 “소재의 특성을 살려 투명하면서도 유연한 메모리 소자를 만드는 데 응용할 수 있을 것”이라 설명했다.


연구결과는 재료 분야 학술지 ‘어드밴스드 머티리얼스’ 28일 자에 실렸다.

 

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