차세대 메모리 CB램 성능 100배 높였다

2019.02.06 11:52
노준석 포스텍 교수. 포스텍 제공.
노준석 포스텍 교수. 포스텍 제공.

포스텍 연구진이 전원이 꺼져도 정보를 저장할 수 있는 차세대 비휘발성 메모리 CB램을 상용화할 수 있는 기반 기술을 개발했다. 

 

노준석 포스텍 기계공학과·화학공학과 교수와 황현상 교수 연구팀은 질소를 도핑한 GST(게르마늄, 안티모니, 텔루늄이 결합된 화합물 물질)를 이용해 기존 CB램보다 저항률을 100배 높인 CB램 소자를 개발했다고 6일 밝혔다. 연구결과는 재료 분야 국제 학술지 ‘어드밴스드 일렉트로닉스 머티리얼스(Advanced Electronics Materials)’ 표지논문으로 실렸다. 

 

차세대 비휘발성 메모리에서 저항성은 핵심 요소다. 저항성이 높아져야 처리할 수 있는 정보의 양이 많아지고 성능이 좋아지기 때문이다. CB램의 경우 다른 차세대 메모리인 플래시램에 비해 100배 적은 전력으로 읽기와 쓰기 작업이 가능하다. 그러나 저항성을 높이기 위해선 결정화 온도를 높여야 한다. 

 

연구팀은 CB램의 구조 내에서 절연체를 활용해 저항성을 높일 방법을 찾았다. CB램은 금속-절연체-금속 구조인데 지금까지 GST를 절연체로 사용해왔다. 연구팀은 이 GST에 질소를 도핑하는 방법을 고안해 저항성을 늘리는 데 성공했다. 기존 공정에 질소 도핑 공정만 추가하면 성능을 크게 향상시킬 수 있다는 것이다. 이렇게 만든 CB램 소자는 기존 소자에 비해 메모리 성능이 100배 가량 향상된 것으로 나타났다. 

 

노준석 교수는 “기존 GST 필름에 질소를 도핑하는 간단한 방법을 통해 CB램 소자를 개발했다”며 “스마트폰이나 의료기기 등 작고 성능 좋은 메모리가 필요한 분야에 바로 적용할 수 있으며 기존 소자를 대체하는 연구결과”라고 소개했다. 

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